BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半導體碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本半導體單管IGBT，BASiC基本半導體IGBT模塊，BASiC基本半導體三電平IGBT模塊，BASiC基本半導體I型三電平IGBT模塊，BASiC基本半導體T型三電平IGBT模塊，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊，單通道隔離驅動芯片BTD5350,雙通道隔離驅動芯片BTD21520,單通道隔離驅動芯片（帶VCE保護）BTD3011,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器，雙向AC-DC電源，戶用光伏逆變器，戶用光儲一體機，儲能變流器，儲能PCS,雙向LLC電源模塊，儲能PCS-Buck-Boost電路，光儲一體機,PCS雙向變流器，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領域。
基本半導體全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，Full SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(HVDC)，空調熱泵驅動，機車輔助電源，儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機，超高頻伺服驅動器，高速電機變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓撲逆變模塊。儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲碳化硅MOSFET。
基本半導體第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M035120YP，B2M020120H，B2M020120Z，B2M020120R，B2M1000170H，B2M1000170Z，B2M1000170R，B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊，半橋SiC MOSFET模塊，ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，T型三電平模塊，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M030120Z國產替代英飛凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z國產替代英飛凌IMYH200R024M1H。
B2M035120YP，B2M040120Z國產替代英飛凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K。
B2M020120Z國產替代英飛凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。
B2M1000170R國產代替英飛凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H國產代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國產代替英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A
NPC（Neutral Point Clamped）三電平拓撲結構是一種應用為廣泛的多電平拓撲結構。近年來隨著電力電子技術在電力行業的發展，NPC三電平技術開始越來越多的應用到各個領域，包括光伏逆變器、風電變流器、高壓變頻器、UPS、APF/SVG、高頻電源等都有著廣泛的應用。NPC拓撲常用的有兩種結構，就是我們常說的“I”字型（也稱NPC1）和“T”字型（也稱NPC2、MNPC、TNPC、NPP等）。另外ANPC也是一種NPC1的改進型，這些年隨著器件的發展，ANPC也開始有一些適合的應用。
在分時電價完善、峰谷電價差拉大、限電事件頻發等多重因素驅動下，工商業儲能的經濟性明顯提升。工商業儲能是用戶側儲能系統的主要類型之一，可以大化提升光伏自發自用率，降低工商業業主的電費開支，助力企業節能減排。
工商業儲能裝機有望在政策鼓勵、限電刺激、電價改革等利好因素刺激下進入高速增長期，復合增速有望持續飆升。
基本半導體混合IGBT單管在工商業儲能PCS變流器中的應用指南：
工商業儲能PCS變流器：
1、主要功率點位：35kW、50kW、70kW（35kW兩模塊并）、100kW（50kW模塊兩并）、125kW（62.5kW模塊兩并），功率點位的選擇主要取決于電池容量，都是標準值；
2、T型三電平是主流方案，出于競爭力考量，采用分立器件IGBT；T型三電平的開關頻率，目前主要在16-20kHz之間
3、35kW單機方案：TO-247封裝單管IGBT是現階段主力，橫管用650V 50AIGBT兩并聯，豎管用1200V 40A IGBT 3顆并聯或者1200V 25A IGBT 4顆并聯。
4、單機功率要躍遷到50kW和62.5kW，純硅IGBT的并聯個數太多，不符合客戶的利益要求，功率越往上走，客戶有很強的動力減少IGBT單管的數量，混合IGBT具有明顯的應用優勢，橫管豎管都使用混合IGBT，可以大限度壓低IGBT開通電阻，降低IGBT開關損耗，大限度發揮混管的性能。客戶將IGBT的開通關斷電阻分開，如果橫管跟豎管同時選擇混管，理論上可以將開通電阻調到0Ω，大大降級IGBT的損耗，這么一來，可以縮小混管跟全碳MSOFET在這種方案中的差距，大程度發揮混管的性能。1200V碳化硅MOSFET的方案現階段評估成本還太高，無法干過混管。混管在現有方案中具有較強的發展潛力和生命力。
橫管混合IGBT選型推薦：BGH50N65HF1,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,BGH75N65HF1,BGH75N65ZF1
豎管混合IGBT選型推薦：BGH40N120HF1,BGH40N120HS1,BGH75N120HF1,BGH75N120HS1
基本半導體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的方案。該器件將傳統的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應用中可以替代傳統的IGBT（硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封），使IGBT的開關損耗大幅降低，適用于儲能（ESS）、車載充電器（OBC）、不間斷電源（UPS）、光伏組串逆變器等領域。
粵公網安備 44030702001206號
