從全球范圍看，先進半導(dǎo)體作為信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，供需矛盾突出。而我國在當前嚴峻的國際環(huán)境下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更面臨著嚴峻的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，我國自“十三五”時期開始，明確將半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展作為國家戰(zhàn)略，并在“十四五”時期發(fā)布了一系列圍繞第三代半導(dǎo)體的扶持政策，為解決“卡脖子”問題打下根基。
第三代半導(dǎo)體以碳化硅SiC、氮化鎵GaN、氧化鋅（ZnO）等具有寬禁帶（Eg＞2.3eV）特點的材料為主，具備耐高壓、耐高溫、低損耗等特性，符合當前功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用需求，正在逐步成為市場聚焦的新賽道。
其中，碳化硅（SiC）的材料特性可使得其器件適用于高頻高溫的應(yīng)用場景，相較于第一代硅器件，可顯著降低開關(guān)損耗。目前主要應(yīng)用于白色家電、電動汽車及工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。而氮化鎵（GaN）的特性，使其成為超高頻器件的極佳選擇，主要用于光電子、射頻電子及電子電力領(lǐng)域。
機構(gòu)人士認為，當前能源技術(shù)革命已經(jīng)從電力高端裝備的發(fā)展逐步向由材料革命的發(fā)展來帶動和引領(lǐng)，第三代半導(dǎo)體有望掀起綠色經(jīng)濟革命，助力以汽車電子、光儲、風(fēng)電為代表的新能源產(chǎn)業(yè)和消費電源等領(lǐng)域高效電能轉(zhuǎn)換。前瞻產(chǎn)業(yè)院預(yù)計，到2025年我國第三代半導(dǎo)體整體市場規(guī)模有望超過500億元。
不過，第三代半導(dǎo)體的制備技術(shù)非常復(fù)雜，需要克服許多技術(shù)難點。
對此，圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展方向、更高效電能方案、更可靠安全技術(shù)等話題，2023CESIS分論壇——第三代半導(dǎo)體技術(shù)研討會將于3月24日下午深圳登喜路國際大酒店二樓C廳展開。屆時將有六位產(chǎn)學(xué)研的專家、學(xué)者帶來重磅行業(yè)分享。
以下為演講嘉賓基本信息↓↓↓
嘉賓陣容
余訓(xùn)斐
深圳愛仕特科技有限公司 應(yīng)用開發(fā)總監(jiān)
- 曾主導(dǎo)開發(fā)愛仕特SiC電控及電源項目，產(chǎn)品的效率、功率密度等參數(shù)領(lǐng)先行業(yè)水平
- 曾任比亞迪汽車弗迪動力研發(fā)經(jīng)理，高級電控工程師
- 從事電控及電源系統(tǒng)開發(fā)超過十年，對SiC器件應(yīng)用有著深刻的見解和豐富的經(jīng)驗
演講主題：《SiC MOS功率器件及應(yīng)用》
關(guān)于深圳愛仕特科技有限公司
以第三代半導(dǎo)體碳化硅材料為核心，研制大功率電力電子功率器件設(shè)計與產(chǎn)品多樣應(yīng)用，擁有完整的產(chǎn)品技術(shù)授權(quán)與品牌獨立運營管理，是從事SiC MOS芯片設(shè)計、模塊生產(chǎn)、系統(tǒng)開發(fā)的的國家高新技術(shù)企業(yè)，先后獲得武岳峰資本、中芯聚源、深創(chuàng)投及國內(nèi)多家知名投資機構(gòu)的數(shù)億元投資。
公司建立車規(guī)級SiC MOS模塊工廠，實現(xiàn)全SiC MOS功率模塊的批量生產(chǎn)，并通過IATF 16949汽車行業(yè)質(zhì)量體系及ISO 9001質(zhì)量管理體系認證。研發(fā)產(chǎn)品覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)，可應(yīng)用于新能源發(fā)電、新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、手機快充等領(lǐng)域。
郭清
浙江大學(xué) 副教授
浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院副教授、電氣工程學(xué)院應(yīng)用電子學(xué)系副主任，浙江大學(xué)紹興研究院電氣分中心副主任，曾任香港科技大學(xué)博士后。長期從事功率半導(dǎo)體芯片的教學(xué)和科研工作，作為研發(fā)骨干參與國家科技部863項目4項、國家科技重大專項（02專項）1項，作為負責(zé)人承擔(dān)科技部國家重點研發(fā)課題1項、國家自然科學(xué)基金項目2項，浙江省重點科技創(chuàng)新團隊課題1項。曾獲評獲浙江大學(xué)求是青年學(xué)者、第三屆CASA第三代半導(dǎo)體卓越創(chuàng)新青年。
演講主題：《碳化硅功率半導(dǎo)體器件技術(shù)進展》
演講內(nèi)容概述
碳化硅功率半導(dǎo)體器件是目前發(fā)展最成熟的第三代功率半導(dǎo)體器件，在新能源汽車、光伏、電源等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了規(guī)模應(yīng)用。報告將介紹近年來碳化硅器件發(fā)展的若干重要發(fā)展方向，重點介紹平面柵和溝槽柵碳化硅MOSFET產(chǎn)品中不斷涌現(xiàn)的新結(jié)構(gòu)、新方法，并結(jié)合電動汽車充電樁等重要應(yīng)用，對其應(yīng)用前景進行分析。
胡曉東
北京大學(xué) 教授
北京大學(xué)物理系本科畢業(yè)，獲學(xué)士學(xué)位，以及清華大學(xué)碩士學(xué)位，電子科技大學(xué)物理學(xué)與光電子學(xué)博士學(xué)位。曾在清華大學(xué)博士后流動站工作，在美國德克薩斯大學(xué)奧斯丁分校，美國堪薩斯州立大學(xué)做訪問學(xué)者。北京大學(xué)物理學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師。
主要從事光電子物理和器件的研究。工作重點是GaN基材料、器件和相關(guān)物理的研究。承擔(dān)多項國家重點研發(fā)、科學(xué)挑戰(zhàn)、國家自然基金、國防科技創(chuàng)新特區(qū)及北京市科技項目等課題。目前致力于GaN基光電子器件的產(chǎn)業(yè)化。
演講主題：《GaN基激光器及應(yīng)用》
演講內(nèi)容概述
GaN基激光器的研究和產(chǎn)業(yè)發(fā)展回顧；GaN基激光器面臨的主要關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)難題；我們課題組的近期工作；GaN基激光器的應(yīng)用領(lǐng)域、市場前景。
陳為
福州大學(xué) 磁技術(shù)專委會主任委員/教授
福州大學(xué)功率變換電磁技術(shù)研究中心主任。兼任中國電源學(xué)會常務(wù)理事，IEC第51技術(shù)委員會（TC 51）專家，IEC/TC 51 WG9中國專家組組長。曾在美國弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心（CPES）做訪問學(xué)者，曾兼任臺達電子上海電力電子研發(fā)中心高級研發(fā)經(jīng)理。主持5項國家級科研項目、1項IEC國際標準和和1項國家標準，發(fā)表論文80多篇，申請國內(nèi)外專利30多項。
研究領(lǐng)域包括電力電子高頻磁技術(shù)、功率變換器電磁兼容、無線電能傳輸、電磁檢測以及工程電磁場分析與應(yīng)用。
演講主題：《第三代半導(dǎo)體應(yīng)用對磁元件技術(shù)高頻化的挑戰(zhàn)》
演講內(nèi)容概述
磁性元件是電力電子功率變換器的關(guān)鍵器件之一，對損耗、體積、重量、電磁兼容、功率密度以及成本都有重要的影響。隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件的應(yīng)用，功率變換器的高頻化成為必然趨勢，這對磁性元件提出了更高的要求，本講座將分析磁元件高頻化下所面臨的挑戰(zhàn)及其關(guān)鍵技術(shù)點，給聽眾提供解決問題的思路與對策。
劉揚
中山大學(xué) 教授，博導(dǎo)
中山大學(xué)電力電子及控制技術(shù)研究所所長、廣東省第三代半導(dǎo)體GaN材料與器件工程技術(shù)研究中心主任。長期從事寬禁帶III族氮化物功率半導(dǎo)體材料與器件研究及產(chǎn)業(yè)化推廣工作，2017年入選國際權(quán)威功率電子器件會議ISPSD學(xué)術(shù)委員會，成為GaN領(lǐng)域進入該學(xué)術(shù)組織的首位中國大陸學(xué)者。主持國家重點研發(fā)計劃課題項目、國家自然科學(xué)基金重點項目、廣東省重大科技專項等多項項目。
演講主題：《三族氮化物功率半導(dǎo)體技術(shù)》
演講內(nèi)容概述
報告介紹以GaN為代表的三族氮化物功率半導(dǎo)體材料與器件的技術(shù)發(fā)展歷程、最新進展、及發(fā)展趨勢，以期為行業(yè)從業(yè)人員提供宏觀指引、促進產(chǎn)業(yè)鏈條的協(xié)同創(chuàng)新及該技術(shù)的行業(yè)發(fā)展。
楊文
華南理工大學(xué) 副教授，博導(dǎo)
2021年于美國中佛羅里達大學(xué)電子工程專業(yè)獲得哲學(xué)博士學(xué)位，隨后加入美國Analog Devices, Inc.（ADI）擔(dān)任研究員。主要研究方向為寬禁帶功率半導(dǎo)體器件可靠性及失效分析、寬禁帶功率半導(dǎo)體器件集成技術(shù)等。曾擔(dān)任IEEE EDS Orlando Section主席，在微電子器件可靠性領(lǐng)域著名期刊IEEE TED, APL和國際會議IEEE IRPS上發(fā)表論文近20篇。
演講主題：《氮化鎵功率半導(dǎo)體器件可靠性問題研究》
演講內(nèi)容概述
GaN功率半導(dǎo)體器件可靠性是阻礙GaN大面積商用的主要原因。本報告針對GaN柵極可靠性問題，提出基于襯底偏置的新型測試方法，探究氮化鎵功率器件柵氧經(jīng)時擊穿(TDDB)機理，建立退化壽命模型；針對GaN的第三象限應(yīng)用，探究GaN負溫度偏置效應(yīng)（NBTI）下的非線性退化模型；最后簡略介紹針對單片集成GaN芯片的靜電保護研究進展，討論不同靜電放電模型下的GaN器件退化機理。
2023CESIS分論壇——第三代半導(dǎo)體技術(shù)，與您不見不散！
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