從全球范圍看，先進半導體作為信息技術產業的基石，供需矛盾突出。而我國在當前嚴峻的國際環境下，半導體產業更面臨著嚴峻的挑戰。為了應對這一挑戰，我國自“十三五”時期開始，明確將半導體領域的發展作為國家戰略，并在“十四五”時期發布了一系列圍繞第三代半導體的扶持政策，為解決“卡脖子”問題打下根基。
第三代半導體以碳化硅SiC、氮化鎵GaN、氧化鋅（ZnO）等具有寬禁帶（Eg＞2.3eV）特點的材料為主，具備耐高壓、耐高溫、低損耗等特性，符合當前功率半導體器件的應用需求，正在逐步成為市場聚焦的新賽道。
其中，碳化硅（SiC）的材料特性可使得其器件適用于高頻高溫的應用場景，相較于第一代硅器件，可顯著降低開關損耗。目前主要應用于白色家電、電動汽車及工業應用領域。而氮化鎵（GaN）的特性，使其成為超高頻器件的極佳選擇，主要用于光電子、射頻電子及電子電力領域。
機構人士認為，當前能源技術革命已經從電力高端裝備的發展逐步向由材料革命的發展來帶動和引領，第三代半導體有望掀起綠色經濟革命，助力以汽車電子、光儲、風電為代表的新能源產業和消費電源等領域高效電能轉換。前瞻產業院預計，到2025年我國第三代半導體整體市場規模有望超過500億元。
不過，第三代半導體的制備技術非常復雜，需要克服許多技術難點。
對此，圍繞第三代半導體技術發展方向、更高效電能方案、更可靠安全技術等話題，2023CESIS分論壇——第三代半導體技術研討會將于3月24日下午深圳登喜路國際大酒店二樓C廳展開。屆時將有六位產學研的專家、學者帶來重磅行業分享。
以下為演講嘉賓基本信息↓↓↓
嘉賓陣容
余訓斐
深圳愛仕特科技有限公司 應用開發總監
- 曾主導開發愛仕特SiC電控及電源項目，產品的效率、功率密度等參數領先行業水平
- 曾任比亞迪汽車弗迪動力研發經理，高級電控工程師
- 從事電控及電源系統開發超過十年，對SiC器件應用有著深刻的見解和豐富的經驗
演講主題：《SiC MOS功率器件及應用》
關于深圳愛仕特科技有限公司
以第三代半導體碳化硅材料為核心，研制大功率電力電子功率器件設計與產品多樣應用，擁有完整的產品技術授權與品牌獨立運營管理，是從事SiC MOS芯片設計、模塊生產、系統開發的的國家高新技術企業，先后獲得武岳峰資本、中芯聚源、深創投及國內多家知名投資機構的數億元投資。
公司建立車規級SiC MOS模塊工廠，實現全SiC MOS功率模塊的批量生產，并通過IATF 16949汽車行業質量體系及ISO 9001質量管理體系認證。研發產品覆蓋產業鏈各環節，可應用于新能源發電、新能源汽車、軌道交通、智能電網、手機快充等領域。
郭清
浙江大學 副教授
浙江大學電氣工程學院副教授、電氣工程學院應用電子學系副主任，浙江大學紹興研究院電氣分中心副主任，曾任香港科技大學博士后。長期從事功率半導體芯片的教學和科研工作，作為研發骨干參與國家科技部863項目4項、國家科技重大專項（02專項）1項，作為負責人承擔科技部國家重點研發課題1項、國家自然科學基金項目2項，浙江省重點科技創新團隊課題1項。曾獲評獲浙江大學求是青年學者、第三屆CASA第三代半導體卓越創新青年。
演講主題：《碳化硅功率半導體器件技術進展》
演講內容概述
碳化硅功率半導體器件是目前發展最成熟的第三代功率半導體器件，在新能源汽車、光伏、電源等領域實現了規模應用。報告將介紹近年來碳化硅器件發展的若干重要發展方向，重點介紹平面柵和溝槽柵碳化硅MOSFET產品中不斷涌現的新結構、新方法，并結合電動汽車充電樁等重要應用，對其應用前景進行分析。
胡曉東
北京大學 教授
北京大學物理系本科畢業，獲學士學位，以及清華大學碩士學位，電子科技大學物理學與光電子學博士學位。曾在清華大學博士后流動站工作，在美國德克薩斯大學奧斯丁分校，美國堪薩斯州立大學做訪問學者。北京大學物理學院教授、博士生導師。
主要從事光電子物理和器件的研究。工作重點是GaN基材料、器件和相關物理的研究。承擔多項國家重點研發、科學挑戰、國家自然基金、國防科技創新特區及北京市科技項目等課題。目前致力于GaN基光電子器件的產業化。
演講主題：《GaN基激光器及應用》
演講內容概述
GaN基激光器的研究和產業發展回顧；GaN基激光器面臨的主要關鍵科學技術難題；我們課題組的近期工作；GaN基激光器的應用領域、市場前景。
陳為
福州大學 磁技術專委會主任委員/教授
福州大學功率變換電磁技術研究中心主任。兼任中國電源學會常務理事，IEC第51技術委員會（TC 51）專家，IEC/TC 51 WG9中國專家組組長。曾在美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心（CPES）做訪問學者，曾兼任臺達電子上海電力電子研發中心高級研發經理。主持5項國家級科研項目、1項IEC國際標準和和1項國家標準，發表論文80多篇，申請國內外專利30多項。
研究領域包括電力電子高頻磁技術、功率變換器電磁兼容、無線電能傳輸、電磁檢測以及工程電磁場分析與應用。
演講主題：《第三代半導體應用對磁元件技術高頻化的挑戰》
演講內容概述
磁性元件是電力電子功率變換器的關鍵器件之一，對損耗、體積、重量、電磁兼容、功率密度以及成本都有重要的影響。隨著寬禁帶半導體器件的應用，功率變換器的高頻化成為必然趨勢，這對磁性元件提出了更高的要求，本講座將分析磁元件高頻化下所面臨的挑戰及其關鍵技術點，給聽眾提供解決問題的思路與對策。
劉揚
中山大學 教授，博導
中山大學電力電子及控制技術研究所所長、廣東省第三代半導體GaN材料與器件工程技術研究中心主任。長期從事寬禁帶III族氮化物功率半導體材料與器件研究及產業化推廣工作，2017年入選國際權威功率電子器件會議ISPSD學術委員會，成為GaN領域進入該學術組織的首位中國大陸學者。主持國家重點研發計劃課題項目、國家自然科學基金重點項目、廣東省重大科技專項等多項項目。
演講主題：《三族氮化物功率半導體技術》
演講內容概述
報告介紹以GaN為代表的三族氮化物功率半導體材料與器件的技術發展歷程、最新進展、及發展趨勢，以期為行業從業人員提供宏觀指引、促進產業鏈條的協同創新及該技術的行業發展。
楊文
華南理工大學 副教授，博導
2021年于美國中佛羅里達大學電子工程專業獲得哲學博士學位，隨后加入美國Analog Devices, Inc.（ADI）擔任研究員。主要研究方向為寬禁帶功率半導體器件可靠性及失效分析、寬禁帶功率半導體器件集成技術等。曾擔任IEEE EDS Orlando Section主席，在微電子器件可靠性領域著名期刊IEEE TED, APL和國際會議IEEE IRPS上發表論文近20篇。
演講主題：《氮化鎵功率半導體器件可靠性問題研究》
演講內容概述
GaN功率半導體器件可靠性是阻礙GaN大面積商用的主要原因。本報告針對GaN柵極可靠性問題，提出基于襯底偏置的新型測試方法，探究氮化鎵功率器件柵氧經時擊穿(TDDB)機理，建立退化壽命模型；針對GaN的第三象限應用，探究GaN負溫度偏置效應（NBTI）下的非線性退化模型；最后簡略介紹針對單片集成GaN芯片的靜電保護研究進展，討論不同靜電放電模型下的GaN器件退化機理。
2023CESIS分論壇——第三代半導體技術，與您不見不散！
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