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              深圳傾佳電子有限公司

               傾佳電子-專業功率半導體(IGBT單管,IGBT模塊,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN)以及新能源汽車連接器分銷商,致力于服務中國工業電源及新能源汽車制造商。相較傳統汽車,新能源汽車在電驅動單元、電氣設備的數量上都有較大的增加,內部動力電流及信息電流錯綜復雜,特別是高電流、高電壓的電驅動系統對連接器的可靠性、體積和電氣性能提出更高的要求,這意味著新能源汽車對連接器產品需求量及質量要求都將大幅提升。在新能源汽車中,高壓連接器是極其重要的元部件,整車、充電設施上均有應用。整車上高壓連接器主要應用場景有:DC、水暖PTC充電機、風暖PTC、直流充電口、動力電機、高壓線束、維修開關、逆變器、動力電池、高壓箱、電動空調、交流充電口等。
              脫碳已經成為全球的趨勢,在我國雙碳政策下,也即“碳達峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏發電逐漸成為矚目的焦點,傾佳電子持續提供高品質功率半導體新能源汽車連接器,在新能源汽車電控,充電樁,汽車OBC,新能源發電,工商業儲能變流器,電動汽車電機主驅,光伏逆變器,儲能變流器PCS,工業電源等領域與客戶深入合作,持續服務客戶的供應鏈及新產品開發,全力支持中國新能源汽車及電力電子工業發展!
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              近年來,傾佳電子-著力推廣國產碳化硅SiC功率器件,國產SiC-MOSFET,國產SiC-MOSFET功率模塊,國產氮化鎵GaN HEMT以及配套的隔離驅動IC,自舉驅動IC,不斷在高壓汽車電驅系統、高壓快充樁、消費電子適配器,數據中心、通訊基站電源、新型電力系統等領域拓展市場。除了車載應用,SiC碳化硅的替代IGBT方案開始在工業的UPS系統(不間斷電源)、軌道交通等領域推出。傾佳電子-專業功率半導體(IGBT單管,IGBT模塊,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN)以及新能源汽車連接器分銷的元器件在電力電子領域,在功率器件方面發揮重要作用。由于碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN在導通損耗和開關損耗方面的卓越性能,可以大大降低電力電子方面應用的能耗。
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              隨著汽車越來越智能化,對于連接器在未來的智能汽車上,絕不會僅僅作為一個電連接點進行傳輸,這個和傳統汽車會有非常本質上的區別, 未來的連接器有可能會變成模塊化,其功能會隨著不同的汽車部位應用場景,功能也會有所不同;同時智能駕駛的出現會讓連接對于傳輸的穩定性變成強制條件,對于電性能的可靠性,以及其他性能都會提到更高一個要求等級;傾佳電子-專業代理的汽車智能互聯連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN引導電源技術轉向新的高功率密度和效率、高耐熱性能的解決方案,以減少導通損耗和碳排放。在整個能源轉換鏈中,碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN的節能潛力可為實現長期的全球節能目標作出貢獻。碳化硅SiC-MOSFET,氮化鎵GaN將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在很多電力電子應用場景中為能效提升作出貢獻。
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              • 地址深圳市福田區梅林奧士達大廈
              • 主營行業汽車智能互聯連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,英飛凌MOSFET,國產碳化硅(SiC)MOSFET,英飛凌IGBT單管,英飛凌IGBT模塊,賽米控IGBT模塊,丹佛斯IGBT模塊,三菱IPM模塊,富士IGBT單管,富士IGBT模塊,三菱DIP-IPM模塊,基本SiC碳化硅MOSFET,電力電子,基本汽車級碳化硅(SiC)模塊,國產氮化鎵GaN,B2M040120Z
              • 公司類型企業單位
              • 經營模式服務商
              • 注冊年份2002
              • 銷售產品汽車智能互聯連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,英飛凌MOSFET,國產碳化硅(SiC)MOSFET,英飛凌IGBT單管,英飛凌IGBT模塊,賽米控IGBT模塊,丹佛斯IGBT模塊,三菱IPM模塊,富士IGBT單管,富士IGBT模塊,三菱DIP-IPM模塊,基本SiC碳化硅MOSFET,電力電子,基本汽車級碳化硅(SiC)模塊,國產氮化鎵GaN,B2M040120Z
              • 采購產品汽車智能互聯連接器與線束,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,直流充電座,耐高壓連接器&插座,英飛凌MOSFET,國產碳化硅(SiC)MOSFET,英飛凌IGBT單管,英飛凌IGBT模塊,賽米控IGBT模塊,丹佛斯IGBT模塊,三菱IPM模塊,富士IGBT單管,富士IGBT模塊,三菱DIP-IPM模塊,基本SiC碳化硅MOSFET,電力電子,基本汽車級碳化硅(SiC)模塊,國產氮化鎵GaN,B2M040120Z
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